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人工晶体学报

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Journal of Synthetic Crystals

CA JST CSTPCD

影响因子 0.5027

本刊报道我国在半导体材料、光电子材料、纳米材料、薄膜材料和超硬材料等领域在理论研究、生长技术、性能、品质鉴定、原料制备，以及应用技术和加工等方面的科研成果，同时介绍国内外晶体材料的发展动态与学术交流活动。学报是我国从事人工晶体研究人员与国外同行交流的一个重要窗口。

主办单位：

中材人工晶体研究院有限公司

期刊荣誉：

1987年获优秀编辑二等奖 1989年获优秀期刊奖 1997年获全国第二届优秀科技期刊奖

ISSN：

1000-985X

CN：

11-2637/O7

出版周期：

月刊

邮编：

100018

地址：

北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院，北京733信箱

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热门刊内文献

年度刊次

1. 晶体中负离子配位多面体结晶方位、形变与晶体压电、铁电性

作者：仲维卓华素坤张学华罗豪甦

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 1-5

摘要：本文研究了压电、铁电晶体中负离子配位多面体的结晶方位与形变,提出了压电晶体中同一种负离子配位多面体的结晶方位是一致的.在铁电晶体中,负离子配位多面体发生形变,伴随着晶体发生顺电-铁电相变,并...
2. 新型非线性光学晶体BaAlBO3F2的生长及组分挥发的研究

作者：傅佩珍李云阁纪丽娜胡章贵蒋世超

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 6-10

摘要：采用高温熔液法生长BaAlBO3F2晶体(简称BABF)时,组分挥发严重.本文分析了晶体生长前后的组分中相关元素的重量损失,发现易挥发的物质可能是硼的氧化物和氟化物;X射线衍射分析确定挥发物...
3. 位错对BBO晶体光学均匀性的影响

作者：朱镛白若鸽陈创天

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 11-14

摘要：本文报道了BBO晶体中位错密度对光学均匀性的影响.样品的光学均匀性是利用Wyko RTI 4100型干涉仪进行测量.采用侵蚀法观测BBO晶体{001}面的位错密度,在一定的侵蚀条件下,观察到...
4. 微波水热法合成新型CZBO晶体的研究

作者：沈光球沈德忠王晓青袁欣

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 15-19

摘要：本文报道了微波水热法生长晶体硼酸锌镉(CZBO)的研究,合成出新物质(Cd0.01Zn0.99)2BO3(OH).用多晶XRD粉末衍射、元素分析、扫描电镜、红外光谱、热分析等多种手段对产物进...
5. 化学还原法向二氧化硅人工欧泊中填充Se

作者：肖加余许静谢凯龙永福

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 20-23

摘要：本文提出了一种新的调节人工欧泊晶体的光学带隙的方法.采用改进的溶剂蒸发法将单分散SiO2微球组装成在红外光区具有光子带隙的人工欧泊,采用化学还原法向欧泊中填充高折射率材料Se,改变其光学带隙...
6. 晶体生长机制和生长动力学的蒙特卡罗模拟研究

作者：卢贵武夏海瑞孙洵张军朱阁李英峰蓝建慧郑庆彬黄乔松

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 24-31

摘要：采用动力学蒙特卡罗方法,对在完整光滑界面上低过饱和度溶液中的晶体生长机制和动态过程进行计算机模拟,得到了晶体生长速率与溶液过饱和度之间的关系以及晶体生长的表面形态.对以二维成核为主要生长机制...
7. 共生晶体Mn2Hg4(SCN)12和MnHg(SCN)4的形成

作者：李广慧许斌韩丽

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 32-35

摘要：采用恒温蒸发法从水溶液中生长Hg2+、Mn2+为双配位中心的SCN- 的配合物晶体.生长液中Hg2+含量较SCN-适当过量的条件下,出现Mn2Hg4(SCN)12晶体和MnHg(SCN)4晶...
8. 一维硅纳米材料的光学特性

作者：唐元洪张勇裴立宅郭池陈扬文

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 36-40

摘要：硅纳米线与硅纳米管是两种重要的一维硅纳米材料,由于具有量子限制效应等性能在光电子器件方面具有潜在的应用前景.总结了近年来硅纳米线在光学特性方面的研究进展,重点介绍了本征硅纳米线、掺杂硅纳米线...
9. 6H-SiC单晶生长温度场优化及多型控制

作者：姜守振徐现刚李娟李现祥王丽王继扬胡小波董捷蒋民华陈秀芳

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 41-44

摘要：本文模拟了升华法生长6H-SiC单晶的不同温度场,并进行了相应的生长实验.结果表明:改变石墨坩埚和感应线圈的相对位置,可以改变温度场形状;下移石墨坩埚;可以增大温度场径向温度梯度.在不同的径...
10. 掺杂方式对纳米二氧化钛性能的影响研究

作者：尹晓敏程永清

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 45-49,44

摘要：对近年来掺杂改性纳米二氧化钛的研究进行了综述,并且详细论述了金属离子掺杂、非金属离子掺杂以及双元素掺杂这三类掺杂方式对纳米二氧化钛的结构相变,光催化性能等方面的影响.
11. AgGa1-xInxSe2单晶的生长研究

作者：刘娟张建军徐承福朱世富朱伟林赵北君黄毅

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 50-53

摘要：采用高纯(99.9999%)Ag、Ga、In和Se单质为原料,按化学计量比富Se0.3～0.5%配料,通过机械振荡和温度振荡相结合的方法合成出单相高致密AgGa1-xInxSe2多晶材料.以...
12. 废旧电池溶胶-凝胶法制备Mn-Zn铁氧体的研究

作者：席国喜杨理路迈西

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 54-57

摘要：以硝酸溶解废旧碱性锌锰电池所得的溶液为原料,用溶胶-凝胶法制备出了具有尖晶石结构的Mn-Zn铁氧体.借助于XRD、IR和SEM技术,对制备过程进行跟踪检测并对纳米晶铁氧体的晶体形貌进行表征....
13. 碲锌镉晶体晶格畸变的测定与分析

作者：介万奇曾冬梅王涛王领航黄斌

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 58-62

摘要：在高分辨X射线衍射仪上,利用不对称布拉格衍射STD技术与单晶摇摆曲线技术相结合的方法,对碲锌镉单晶材料的晶格畸变进行了分析测定.此方法实现了一次装样,多角度、多次测定晶体的摇摆曲线,从而利用...
14. MOCVD方法在Ti/Si(111)模板上生长ZnO薄膜的研究

作者：戴江南方文卿李冬梅李璠江风益王立苏宏波蒲勇

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 63-65,70

摘要：本文采用常压MOGVD方法在Ti/Si(111)模板上生长了氧化锌(ZnO)薄膜,使用二乙基锌为Zn源,去离子水为O源.Si衬底上的Ti薄层采用电子束蒸发台蒸发,然后低温生长缓冲层并在高温下...
15. 980nm红外激发下氟氧化物中Er3+的上转换可见发光

作者：孙凯霞宋国利

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 66-70

摘要：制备了掺杂Er3+的氟氧化物(10ZrF4-10PbF2-10NaF-5Na2O-60SiO2)材料,测量了样品的吸收谱、上转换荧光发射谱和上转换发光强度与激光泵浦功率的对数关系.分析了Er...
16. Al(OH)3和Sr(OH)2复合粉末的制备及性能研究

作者：刘建良孙家林徐茂施安胡劲高勤琴

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 71-73

摘要：本文采用活化Al-Sr合金粉末水解反应制备Al(OH)3和Sr(OH)2复合粉末,利用XRD,SEM,EDS,BET及激光粒度仪对复合粉末进行结构和性能研究.研究结果表明,Al(OH)3和S...
17. 失配性质对面心立方外延晶体失配位错结构及其形核机制的影响

作者：周浪周耐根

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 74-80

摘要：运用三维分子动力学方法模拟了外延铝薄膜晶体中失配位错的形成过程.结果显示:失配度为fx=4%时,位错是通过薄膜表层原子的相对滑移来形核,形成一个伯格斯矢量为1/2[10 1]的刃型位错,该位...
18. 薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结的影响

作者：任慧智孙建张德坤张晓丹朱锋耿新华薛俊明赵颖高艳涛魏长春

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 81-84

摘要：本文论述了薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响.在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅,减小了电池的内部串联电阻影响.通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅底电池P层的厚度,降低...
19. 新型AgGa1-xInxSe2晶体用于CO2激光倍频研究

作者：吴海信张维杨琳毛明生石奇程干超

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 85-90

摘要：本实验室用布里奇曼方法成功生长出有应用前景的新型四元非线性AgGa1-xInxSe2晶体,对晶体光学透过,红外低倍显微成像,反射损耗和吸收系数进行了研究和计算.基于纯AgGaSe2和AgIn...
20. RF预处理对ZnO/Si生长的影响

作者：傅竹西姚然朱俊杰朱拉拉钟声

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 91-94

摘要：氧化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙的宽禁带半导体材料,其室温下的禁带宽度3.36eV,由于其具有紫外发光的特性,近来受到研究者的广泛关注.由于ZnO在高效率光散发设备和其它光学方面有应用前景,所以...
21. 水热法合成Zn1-xMnxO稀磁半导体

作者：刘超张华伟李军林琳窦军红葛世艳郑一博韦志仁

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 95-98,103

摘要：本文采用水热法在430℃,以3mol%·L-1KOH作矿化剂,填充度为35%,反应时间24h,合成了Zn1-xMnxO稀磁半导体晶体.所合成晶体具有ZnO纤锌矿结构,晶面显露正极面{0001...
22. 大直径铌酸锂晶片的化学机械抛光研究

作者：孔勇发王占银许京军陈绍林

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 99-103

摘要：本文采用化学机械抛光方法,以SiO2作为抛光液的研磨介质,对76mm Z切向的铌酸锂晶片的抛光进行了深入的研究.分析了影响铌酸锂晶片抛光效果的因素,通过优化工艺参数,使铌酸锂的表面粗糙度Ra...
23. 玻璃衬底上中温制备多晶硅薄膜的量子态现象

作者：冯团辉卢景霄张丽伟王海燕靳瑞敏

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 104-106

摘要：用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-Si:H)薄膜用传统炉在中温退火,然后用拉曼光谱、XRD和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象.分析发现在传统炉中850℃下退火三个...
24. 水热法合成SnO2金红相纳米柱晶体

作者：刘超张华伟李军林琳窦军红葛世艳郑一博韦志仁

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 107-109

摘要：本文采用水热法,以SnCl4·5H2O为前驱物,NaOH为矿化剂,在180℃,填充度为68%,通过加入不同量的NaOH,调节溶液pH值分别为2、4、11,合成了三种具有不同形态的金红相SnO...
25. xPMnS-(1-x)PZN陶瓷极化特性研究

作者：周静孙华君陈文

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 110-113

摘要：本文研究了xPMnS-(1-x)PZN四元系压电陶瓷的极化性能、谐振频率附近的介电性能及谐振频率温度稳定性.结果表明,xPMnS-(1-x)PZN陶瓷中以取向极化为主,具有很好的谐振频率温度...
26. 可调谐激光晶体Cr:GSGG的光谱分析及晶场参数计算

作者：刘文鹏孙敦陆张庆礼张霞殷绍唐江海河王召兵苏静谷长江邵淑芳

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 114-118

摘要：用提拉法成功生长出了优质的Cr3+:Gd3Sc2Ga3O12晶体,测定了室温下的吸收光谱和不同温度下的荧光光谱,计算了晶场参数,发现荧光峰值及晶场参数与以前文献报道的均不相同.吸收光谱中,在...
27. 近化学计量比LiNbO3晶体畴结构研究

作者：刘宏姚淑华王继扬胡小波高磊

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 119-122

摘要：利用提拉法,从富锂(Li2O:Nb2O5=58.5:41.5)熔体中生长了φ40mm×40mm的近化学计量比铌酸锂晶体.用同步辐射异常散射技术结合化学腐蚀法观察了晶体中的畴结构,在y方向发现...
28. Zn1-x MgxS薄膜的磁控溅射制备及其性能研究

作者：孙汪典朱祯苗银萍

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 123-126,118

摘要：利用双靶磁控溅射法,在普通石英玻璃基底上成功制备出Ⅱ-Ⅵ族化合物固溶体半导体Zn1-xMgxS多晶薄膜,并用X射线能量色散谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外...
29. 高质量非晶金刚石薄膜的制备研究

作者：刘洋崇二敏徐建伟李春李晓春李鑫闫鹏勋

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 127-130,146

摘要：利用自行研制的磁过滤等离子体技术(FCAP),并创造性地对衬底施加低频率周期性负偏压,在室温下的单晶硅表面上制备了高质量的非晶金刚石薄膜.用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM),...
30. 镓(Ga)的含量及分布对CIGS薄膜电池量子效率的影响

作者：刘伟周琳孙云李伟李凤岩

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2006年1期

页码: 131-134

摘要：采用两步法制备CuGaxIn1-xSe2薄膜,Cu-In-Ga金属预制层采用铜镓合金靶及铟靶通过磁控溅射方法沉积而成,采用固态源硒化法在硒蒸气密闭环境中硒化,通过调整镓(Ga)比例及分布控制...

人工晶体学报基本信息

刊名	人工晶体学报	主编	张伟儒
曾用名
主办单位	中材人工晶体研究院有限公司	主管单位	中国建筑材料联合会
出版周期	月刊	语种	chi
ISSN	1000-985X	CN	11-2637/O7
邮编	100018	电子邮箱	jtxbbjb@126.com
电话	010-65491290 ;65492963	网址	www.jtxb.cn
地址	北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院，北京733信箱