微电子学期刊
出版文献量(篇)
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微电子学

Microelectronics

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2976
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识,介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论,微电子器件与电路, 集成电路,半导体工艺和制造技术,集成电路封装技术,多芯片组件技术,集成电路可靠性技术,片上系统,集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录,是中国核心期刊之一。
主办单位:
四川固体电路研究所
期刊荣誉:
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN:
1004-3365
CN:
50-1090/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
400060
地址:
重庆市南坪花园路14号24所
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  • 作者: 崔嘉杰 罗萍
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  416-419
    摘要: 基于CSMC 0.5 μm标准CMOS工艺,设计了一种高精度电流型CMOS带隙基准电压源.仿真结果表明,温度在-40℃~125℃范围内,基准输出电压的温度系数为1.3×10-5/℃;电源电压...
  • 作者: 朱红卫 赵郁炜
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  420-423,429
    摘要: 基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种用于10位200 MHz高速流水线模数转换器的CMOS LVDS收发电路.该收发电路由发射器(TX)和接收器(RX)组成.发射器通过...
  • 作者: 冯全源 杨林才
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  430-433,437
    摘要: 提出了一种峰值电流模式PWM下的轻载高效Buck DC-DC控制方案.该方案根据负载大小来自适应调节开关频率和电感电流峰值,实现宽负载范围内高的转换效率和对输出纹波的控制.把误差信号与负载自...
  • 作者: 邱盛 郭灿
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  438-441
    摘要: 针对红外接收芯片对带通滤波器参数可调的要求,提出了一种高精密的Gm-C2阶带通滤波器.该滤波器的中心频率、带宽和通带增益均可调.电路采用0.35 μm标准CMOS工艺进行流片.测试结果显示,...
  • 作者: 张国俊 王雅君 陆定红
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  442-446
    摘要: 设计了一种宽输入共模范围的比较器,用以处理高端电流检测中大共模信号的问题.通过采用预放大器和锁存器结构,优化了传输延时,提高了电路的分辨率及工作速度.基于0.5μm工艺,采用Cadence软...
  • 作者: 周泽坤 崔佳男 张其营 张庆岭 张波 张竹贤 明鑫
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  447-450,455
    摘要: 提出了一种性能较高的具有同步功能的RC振荡器.相比传统RC振荡器,通过控制器外围SYN引脚接收同步开关频率信号来设定振荡器的周期,设计出工作在同步模式下的RC振荡器.仿真结果表明,在典型参数...
  • 作者: 汪倩 潘少俊 邓婉玲 饶远 黄君凯
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  451-455
    摘要: 针对智能手机功能集成度与功耗的矛盾,提出了一种适用于射频和基带的微型电源管理IC新架构,并基于MOS器件的亚阈值特性,详细地给出其中具有低功耗零温漂的电流基准及电压基准电路的设计.基于TSM...
  • 作者: 吕志强 彭斐 陈岚 陈巍巍 龙爽
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  456-458,462
    摘要: 针对传统RC振荡器容易受到温度和工艺偏差影响的问题,提出了一种新的振荡器结构.该振荡器电路运用零温度系数参考电压和开关网络,实现了比较器电路的工艺失配补偿,达到了高的温度稳定性.该振荡器具有...
  • 作者: 吕果 庞佑兵 马朝骥
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  459-462
    摘要: 脉宽调制放大器工作在开关状态,由于功率开关存在一定的过渡时间,有可能会出现高低侧开关管短暂同时开启的“共态导通”状态,导致输出级功率管烧毁,因此在输出功率管的驱动信号中需引入死区时间.本文对...
  • 作者: 夏婷婷 甄少伟 甘武兵 贺雅娟 陈静波
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  467-471
    摘要: 通过对传统的全数字多相位时钟产生电路进行分析和总结,提出一种新颖的延时校准算法.该算法通过优化调整延时单元的顺序,大大改善了全数字多相位时钟产生电路的非线性.整个电路基于全数字延迟锁相环,采...
  • 作者: 武岳山 熊立志
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  472-475
    摘要: 提出了一种低压CMOS LDO稳压电源电路.与常规CMOS LDO稳压电源电路相比,该电路有两个主要特点:引入了低压带隙基准电路;将带隙基准电路置于串联稳压管后端.通过上述设计,提出的稳压电...
  • 作者: 李娅 石建刚
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  476-478,482
    摘要: 设计了一种新颖的LDO限流保护电路.该保护电路结构简单,由5个MOS管构成,其静态电流约200 nA.对该保护电路的原理进行了详细的分析和仿真验证.该LDO采用0.6μmSOI工艺流片,测试...
  • 作者: 周理想 张树丹
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  479-482
    摘要: 提出一种0.5 μm CMOS工艺实现的基于传统结构改进的电荷泵.该结构采用威尔逊电流源提供偏置电流,引入共源共栅结构提高输出阻抗,以此来抑制电流失配.该电路具有结构简单、功耗小、速度快的特...
  • 作者: 彭宣霖 王新宇 甄少伟 甘武兵 罗萍 贺雅娟 陈静波
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  483-488
    摘要: 提出了一种基于混合型数字脉宽调制器(HDPWM)的带延迟线二分法校准机制的新电路结构,能有效地提高DPWM的线性度.详细介绍了混合型DPWM的工作原理,阐述了基于二分法机制的自校准电路的整体...
  • 作者: 张经纬 易亮 鲍景富
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  489-494
    摘要: 在移动通信3G/4G网络中,包络跟踪技术是提高射频功放效率的核心技术之一.从包络跟踪的相位失真问题入手,以降压变换器为拓扑,提出了以4阶贝塞尔低通滤波器传递函数为整体设计模型的包络跟踪电源设...
  • 作者: 于敦山 向本才 李文昌
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  499-502
    摘要: 针对传统LED恒流驱动电路存在输出电流受LED电压、关断时间和电感大小等影响的问题,设计了一种采用线性跨导放大器和电压控制延迟电路的新型LED照明恒流驱动电路.通过理论分析,并采用1 μm7...
  • 作者: 宋黎明 王欢 罗玉香
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  503-506
    摘要: 为了减小芯片生产过程对集成电路的影响,使生产芯片参数符合设计要求,分析现有修调技术特点,提出了一种基于标准工艺的金属熔丝修调电路,并成功应用到一个开关电源芯片中.其结构简单,成本低,可在标准...
  • 作者: 汪涌
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  507-509,514
    摘要: 射频识别技术(RFID)是从1980年代逐渐走向成熟的一种自动识别技术.针对机动车被非法启动的问题,提出了一种基于射频识别技术的发动机锁止防盗系统设计方案.系统采用134.2kHz频段无线电...
  • 作者: 刘岩 李瑞宾 杨善超 林东生 王桂珍 白小燕 金晓明 马强 齐超
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  510-514
    摘要: 对一种256 kb EEPROM电路AT28C256和一种256 kb SRAM电路HM62256开展了“强光一号”瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的闩锁效应、翻转效应等.HM62256的翻...
  • 作者: 倪昊 冯光涛
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  515-518,526
    摘要: 对亚100 nm硅集成技术融合趋势进行了展望.各项新技术使MOSFET器件可以按比例缩小到10nm以下节点,让摩尔定律在未来很长时间继续有效.另一方面,随着硅通孔等技术的日益成熟,器件、芯片...
  • 作者: 吴宁 胡永良 黎建华
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  519-522,530
    摘要: 分析了无线NoC的一般结构,对两种典型拓扑结构及其相关特性进行了比较,并对无线NoC涉及到的关键通信机制,特别是片上天线、路由及通信协议对其性能的影响进行了讨论,最后对未来无线NoC的技术热...
  • 作者: 代天君 晏开华 李金龙 王健安 罗俊 郝跃 黄姣英
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  523-526
    摘要: 为解决高可靠性、长寿命模拟集成电路的寿命评估问题,结合半导体器件退化失效的特点,提出了基于加速退化试验的模拟集成电路寿命评估方法.在此基础上,以某型电压基准模拟IC为研究对象,通过对退化数据...
  • 作者: 刘玉奎 崔伟 张志华 张静 申均 谭开洲
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  527-530
    摘要: 介绍了一种提高SiGe HBT器件电学特性的基区Ge组分分布方式.这种优化的Ge分布模型在靠近发射极与集电极处为均匀分布,中间为梯度分布.借助于TCAD仿真工具,在基区Ge组分总量不变的条件...
  • 作者: 王光伟
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  531-536,541
    摘要: 对一般情况下肖特基接触的机理和肖特基势垒高度的影响因素做了系统分析,研究了肖特基接触特性的不均匀性及其原因,指出多晶界面势垒高度比同种材料的要低.通过实验,研究了金属/n-poly-Si0....
  • 作者: 刘玉岭 孙鸣 李强 杨昊鹍 牛新环
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  537-541
    摘要: 主要对影响锗单晶抛光后表面微粗糙度的关键因素—抛光液组分的作用进行分析.采用变量控制的实验方法,从活性剂、有机胺碱、氧化剂、硅溶胶磨料和螯合剂五个因素出发进行实验.针对粗糙度影响因素进行分析...
  • 作者: 董颖
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  542-545
    摘要: 硅化钨MIP工艺在集成电路和半导体器件制造中有着广泛的应用,但硅化钨膜在后续的侧墙工艺中容易出现剥落问题现象.通过对硅化钨材料特性,以及与电路制造相关联工艺的深入分析,发现在一定温度下,硅化...
  • 作者: 谭子尤
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  550-554
    摘要: 针对ADC(模数转换器)静态参数中积分非线性参数测试的问题,提出了一种快速测试的内建自测试方案.该方案利用数字谐振器和Σ-Δ调制器生成正弦测试源信号,依据FFT算法建立ADC的切比雪夫函数逼...
  • 作者:
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  554,564
    摘要:
  • 作者: 冯燕 赵新超 陈岚 马娟
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  555-558,564
    摘要: 采用IP核进行SoC设计是集成电路的发展趋势.然而,IP核的质量参差不齐,如何选用高质量IP核成为困扰SoC用户的难题.针对IP核可重用的特点及其在SoC集成应用中的难点,提出了一种主客观相...
  • 作者: 周织建 席占稳 王晓锋 程建建 聂伟荣
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2014年4期
    页码:  559-564
    摘要: 针对MEMS平面S型等直梁弹簧压杆稳定性及抗共振性能较差等问题,提出了一种MEMS平面S型锥形弹簧,推导出平面锥形弹簧y向刚度系数公式,并通过仿真实验对理论公式进行验证,发现在集中力作用下,...

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

微电子学评价信息

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1. 中文核心期刊
2. 信息产业部优秀电子科技期刊

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