一种高精度电流型CMOS带隙基准电压源设计

• 作者: 崔嘉杰 罗萍
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 基准电压源 线性补偿 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 416-419
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

基于CSMC 0.5 μm标准CMOS工艺,设计了一种高精度电流型CMOS带隙基准电压源.仿真结果表明,温度在-40℃～125℃范围内,基准输出电压的温度系数为1.3×10-5/℃;电源电压在3.3～5V之间变化时,基准输出电压变化为0.076 mV,电源抑制比PSRR为-89 dB.同时,该电路包含修调电路,可在不同工艺角下进行校正,具有温度系数低、电源抑制比高、精度高等特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗萍	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	74	534	11.0	20.0
2	崔嘉杰	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	18	3.0	3.0