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微纳电子技术2014年出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
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22
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31. 电共轭液的应用现状刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 对电共轭液的特点及其工作原理进行了详细的描述,利用它在高压环境下能够产生射流这一现象来实现微领域上的改进与创新,重点对国外电共轭液在液态陀螺仪、仿生微手指、人工肌肉、微电机和CPU散热器中的...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 为了使用微流体细胞仪实现对细胞的精确计数,设计和制作了能够真正实现三维聚焦功能的微流沟道.首先用Ansys软件对微流沟道的结构进行了优化设计,利用斜曝光工艺制作了SU-8微流沟道模具；然后利...
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33. 先导光刻中的光学邻近效应修正刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 按照逻辑器件发展的节点顺序,依次论述了各种光学邻近效应修正技术:基于经验的光学邻近效应修正、基于模型的光学邻近效应修正、曝光辅助图形、光源和掩模版的优化、反演光刻技术以及两次曝光技术等.概括...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要： 研究了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)生长的无氨氮化硅薄膜作为掩蔽层在MEMS硅腐蚀工艺中的应用.比较了PECVD不同工艺条件(衬底温度和功率)以及不同四甲基氢氧化铵(TMAH)硅腐蚀...
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35. MEMS加速度计可靠性评价技术刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要： MEMS加速度计是动作识别设备、姿态控制设备等电子设备的核心器件,其功能失效会严重影响设备的可靠性.而目前国内外还没有MEMS器件的可靠性实验标准,这在一定程度上制约了MEMS加速度计的应用...
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36. 信息动态刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年3期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 从硅纳米管和纳米线场效应晶体管的结构出发,先用Silvaco公司的TCAD仿真软件模拟出硅纳米管和纳米线的电势分布,然后根据电势分布依次求出两种器件的有效哈密顿量、非平衡格林函数及自能函数和...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 分析了InGaAs/InP pin光电探测器暗电流和响应度的影响因素,并对MOCVD外延工艺以及器件结构进行优化,从而提高器件响应度和降低暗电流.采用低压金属有机化学气相沉积设备(LP-MO...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 以天然鳞片石墨为原料,采用改进的Hummers法并结合水热法制备TiO2-石墨烯(TiO2-rGO)复合光催化材料.采用TEM,XRD,Raman,FTIR和UV-VIS DRS等方法对其特...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理研究了O原子与Pd掺杂前后ZnO (0001)表面的相互作用机理.通过对模型表面六个高对称位吸附能的计算,发现O原子最有可能吸附于Pd掺杂表面的间隙...
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41. 磁性液体薄膜微形变的磁控研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 针对磁性液体薄膜在MEMS加工领域作为光刻掩膜的应用,为获得磁性液体薄膜在磁场作用下的微形变规律,设计了一套磁场下磁性液体薄膜微形变的磁控测试实验台,并从磁场强度、磁性液体种类、磁性液体中磁...
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42. 浮动式剪应力微传感器的标定刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 流体壁面剪应力微传感器的精确标定是进行流动测量的基础.分别采用自重加载、离心加载和风洞吹风三种不同方法,对基于电容检测原理的浮动单元剪应力微传感器进行标定与实验研究.对比了三种实验方法和标定...
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43. 一种SOI高温压力传感器敏感芯片刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 从传感器的受力结构、能量转化结构和金属引线三个方面对SOI压阻式压力传感器芯片进行高温设计,计算出每个因素所造成的影响并与外部气压对传感器造成的影响进行对比,并给出了压阻的工艺尺寸和掺杂浓度...
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44. 铜辅助单步化学刻蚀多晶硅刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 介绍了一种用铜作催化剂,辅助单步湿法刻蚀多晶硅片的工艺.该方法具有成本低廉和操作简易的特点.系统研究了反应物浓度和温度对刻蚀速率以及刻蚀后硅片表面形貌的影响,并据此通过调节反应物浓度CHF∶...
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45. 基于PDMS薄膜的微透镜制作方法刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 提出了一种基于聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜的软模压印制作微透镜的方法.首先,采用具有钝化层的普通硅片作为基底加工出PDMS薄膜;然后,将薄膜粘于刻有对应孔径的硅模板上,薄膜在负压作用下产生...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 研究了三种不同稀释倍数的弱碱性铜粗抛液,原液采用商用FA/O型铜抛光液,稀释倍数分别为1倍、3倍和5倍.基于化学机械抛光(CMP)作用机理,在相同工艺条件下分析了三种粗抛液对铜膜的平均去除速...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年4期页码:摘要： 研究了聚一氯对二甲苯(parylene-C,PC)膜微柱阵列结构的制备及其对MC3T3-E1小鼠成骨细胞生长铺展的影响.在硅基微柱阵列结构表面上沉积聚对二甲苯得到的PC膜微柱阵列结构能促进细...
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48. 国际视点刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年4期页码:摘要：
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49. GaN基SBD功率器件研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 作为第三代宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管(SBD)功率器件具有耐高温、耐高压和导通电阻小等优良特性,在功率器件方面具有显著的优势.概述了基于功率应用的GaN SBD功率器件的研究...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 数值模拟了结构参数(超辐射区腔长和脊宽,光放大区腔长和张角)对双注入区量子点超辐射发光管器件性能(光谱和功率等)的影响.结果表明,当器件超辐射区注入电流和放大区注入电流均固定时,随着超辐射区...
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51. 磁性液体的微致动性能刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 针对磁性液体在MEMS微致动器中的应用,对磁性液体在磁场中致动力的影响因素进行了理论分析.根据理论分析结果设计了一套磁性液体微致动性能测试实验台,并从磁场强度、磁性液体受力面积和磁性液体质量...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： MEMS音叉陀螺存在很多振动模态,分析发现,其在驱动方向上受到冲击时的振动形式与工作在驱动模态的振动形式是不同的.通过改进悬挂梁的尺寸结构,提高了冲击振动模态谐振频率以增强陀螺的抗冲击性,同...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 采用流动Navier-Stokes方程和双电层电位的Poisson-Nernst-Planck方程建立压力驱动圆形微通道内电解质溶液流动的数学模型,根据电流平衡条件求得流动电位场.应用有限元...
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54. 相变材料等离子体刻蚀的研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 首先综述了相变材料等离子体刻蚀技术的研究进展,然后讨论了影响相变材料等离子体刻蚀的主要工艺参数,如线圈功率、腔体气压、偏压、刻蚀气体及气体比例等,进而解释了工艺参数与刻蚀结果的依赖关系.同时...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： CdS薄膜是一种n型半导体材料,用于CdTe多晶薄膜太阳电池的窗口层,其质量直接影响太阳电池的光电转换效率和寿命.用磁控溅射法制备了CdS薄膜,通过对薄膜进行X射线衍射(XRD)、扫描电子显...
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56. 一种新型的自对准源漏接触技术刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 提出了一种用于亚微米尺寸以下MOSFET器件的自对准源漏接触技术.这种新型的集成方法改变了传统的工艺步骤,即光刻接触孔,然后向里填充导电材料.在形成栅极、绝缘介质侧墙以及自对准金属硅化物以后...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 主要研究了碱性抛光液各组分体积分数对其有效存储时间的影响.实验中每隔两个月测试了抛光液的pH值、平均粒径和Cu膜去除速率等参数随存储时间的变化值.研究表明:FA/O螯合剂体积分数是影响抛光液...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 在TiO2薄膜化学机械抛光(CMP)加工过程中,TiO2薄膜的材料去除速率(MRR)非常重要.对抛光工艺参数进行了优化研究,CMP实验采用自主配制的碱性抛光液对TiO2进行抛光,研究了抛光压...
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59. 硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管已经成为高速、低功耗纳米级器件的重要发展方向.首先,从气相-液相-固相生长和选择区域生长的角度,阐明了在硅衬底上无位错生长高晶体质量Ⅲ-Ⅴ族纳米线的机制.在此基础上,...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 由于半导体环形激光器器件尺寸不再受解理面的限制,结构简单紧凑,容易集成,近年来成为集成光源领域的研究热点之一.采用MOCVD系统外延生长InAlGaAs多量子阱激光器材料,利用BCl3,Cl...
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 文摘杂志(俄) |
| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
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| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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