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硅栅和铝栅MOS器件的γ总剂量辐照比较
硅栅和铝栅MOS器件的γ总剂量辐照比较
作者:
李金华
林成鲁
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硅栅
铝栅
MOS器件
Γ辐照
摘要:
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文献信息
篇名
硅栅和铝栅MOS器件的γ总剂量辐照比较
来源期刊
上海半导体
学科
工学
关键词
硅栅
铝栅
MOS器件
Γ辐照
年,卷(期)
1990,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
5-8
页数
4页
分类号
TN386.4
字数
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硅栅
铝栅
MOS器件
Γ辐照
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研究来源
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
上海微电子技术和应用
主办单位:
出版周期:
季刊
ISSN:
1006-9453
CN:
31-1239/TN
开本:
出版地:
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
邮发代号:
创刊时间:
语种:
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435
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3
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