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摘要:
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辐照偏置影响深亚微米MOS器件总剂量效应的理论研究
辐照偏置
总剂量效应
MOS器件
解析模型
器件仿真
双多晶硅栅SOI MOS器件的研究
双多晶硅栅
全耗尽
SOI
不同设计参数MOS器件的γ射线总剂量效应
MOS晶体管
宽长比
辐射效应
总剂量
器件尺寸对MOS器件辐照效应的影响
金属-氧化物-半导体
器件尺寸
辐照效应
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 硅栅和铝栅MOS器件的γ总剂量辐照比较
来源期刊 上海半导体 学科 工学
关键词 硅栅 铝栅 MOS器件 Γ辐照
年,卷(期) 1990,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 5-8
页数 4页 分类号 TN386.4
字数 语种
DOI
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1990(0)
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研究主题发展历程
节点文献
硅栅
铝栅
MOS器件
Γ辐照
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海微电子技术和应用
季刊
1006-9453
31-1239/TN
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
出版文献量(篇)
435
总下载数(次)
3
总被引数(次)
0
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