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测量
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 用PECVD方法在GaAs衬底上制备WxSi1—x薄膜
来源期刊 薄膜科学与技术 学科 工学
关键词 PECVD法 硅化钨 薄膜 GAAS 衬底
年,卷(期) 1990,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 25-31
页数 7页 分类号 TN304.055
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1990(0)
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研究主题发展历程
节点文献
PECVD法
硅化钨
薄膜
GAAS
衬底
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
薄膜科学与技术
双月刊
南京1601信箱43分箱
出版文献量(篇)
327
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