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采用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnO(002)和ZnO(100)薄膜
金属有机化学汽相沉积
ZnO薄膜
半导体材料
用MOCVD法制备TiO2薄膜
二氧化钛
薄膜
化学气相沉积
内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 MOCVD法在GaAs上生长MgSe薄膜
来源期刊 电子材料快报 学科 工学
关键词 MOCVD 砷化镓 硒化镁 薄膜 生长
年,卷(期) dzclkb_1998,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 8-9
页数 2页 分类号 TN304.055
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MOCVD
砷化镓
硒化镁
薄膜
生长
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天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
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