磁控反应溅射制备GexC1-x薄膜的结构

• 作者: 刘正堂 宋建全 朱景芝 耿东生 郑修麟
• 来源期刊: 金属热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: GexC1-x薄膜 磁控反应溅射 薄膜结构
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 95-99
• 页数: 5页
• 分类号: TG1
• 字数: 2608字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-6264.2000.02.016

摘要

利用射频磁控反应溅射以Ar、CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子谱(XPS)对制备的薄膜进行了分析.结果表明,GexC1-x薄膜的结构强烈依赖于制备的工艺参数.当沉积温度较低、射频功率不大时,GexC1-x薄膜主要为非晶态结构.随着沉积温度升高、射频功率增大,薄膜中出现Ge微晶相.GexC1-x薄膜中Ge与C发生电荷的转移,形成化学键.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑修麟	西北工业大学材料科学与工程学院	44	293	10.0	14.0
2	刘正堂	西北工业大学材料科学与工程学院	120	749	14.0	21.0
3	耿东生	西北工业大学材料科学与工程学院	15	150	8.0	12.0
4	宋建全	西北工业大学材料科学与工程学院	10	92	5.0	9.0
5	朱景芝	西北工业大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0