用弹道电子发射显微术研究超薄金属硅化物/硅肖特基接触

• 作者: 屈新萍 李炳宗 竺士炀 茹国平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基势垒 弹道电子显微术 硅化物 离子轰击
• 年，卷（期）: 2000,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 778-785
• 页数: 5页
• 分类号: TN311+.7
• 字数: 2857字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.08.010

摘要

采用弹道电子发射显微术(BEEM)技术对超薄PtSi/Si、CoSi2/Si肖特基接触特性进行了研究,并与电流-电压(I-V)及电容-电压(C-V)测试结果进行了对比.研究了Ar离子轰击对超薄PtSi/n-Si肖特基接触特性的影响.BEEM、I-V/C-V技术对多种样品的研究结果表明,I-V/C-V测试会由于超薄硅化物层串联电阻的影响而使测试结果产生严重误差;BEEM测试则不受影响.随着离子轰击能量增大,肖特基势垒高度降低,且其不均匀性也越大.用BEEM和变温I-V对超薄CoSi2/n-Si肖特基二极管的研究结果表明,变温I-V测试可在一定程度上获得肖特基势垒在整个界面上的不均匀性信息,但它依赖于假设的势垒高度分布模型;BEEM测试则可直接获得金-半接触界面的肖特基势垒高度,近似为高斯分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	茹国平	复旦大学电子工程系	21	95	5.0	9.0
2	屈新萍	复旦大学电子工程系	19	84	5.0	8.0
3	李炳宗	复旦大学电子工程系	21	90	5.0	9.0
4	竺士炀	复旦大学电子工程系	8	59	4.0	7.0