CZ硅单晶中旋涡缺陷对低频大功率管制造的影响

• 作者: 董尧德
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅片旋涡缺陷 器件制造
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 43-45
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2358字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2000.02.013

摘要

CZ硅晶片中的旋涡缺陷在器件制造的热循环过程中,会转化成体内杆状层错,且易集结在发射结对应下方的基区和集电结附近,从而导致EB结和CB结的软击穿现象进行了研究,并采取了适当措施,以消除和控制旋涡缺陷的产生.