日趋成熟的SOI技术

• 作者: 文羽中 赵璋
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅 注氧隔离 背面刻蚀与键合 外延层转移 市场 前景
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 15-22
• 页数: 8页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 5081字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2001.01.003

摘要

SOI技术作为21世纪的硅集成技术正在日益受到人们的青睐。从SOI技术的发展过程、制备工艺、开发应用及市场预测几个方面评述了SOI技术现状及前景。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵璋		1	12	1.0	1.0
2	文羽中		1	12	1.0	1.0