高温退火前后低碳含量a-SiCx∶H薄膜结构和荧光特性的研究

• 作者: 岳瑞峰 王燕
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: a-SiCx∶H薄膜 微结构 退火 光致发光
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 38-42
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 5739字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2001.01.010

摘要

采用Raman光谱，结合光致发光和X射线衍射测量对富硅a-SiCx∶H薄膜的结构及荧光特性进行了详细研究。结果表明，刚制备的样品中由于硅和碳原子的电负性和原子尺寸的差异，出现了化学集团效应，即样品基本保持了a-Si∶H中的网络结构，只有少量的Si—C键存在，碳主要以CHn的形式与SiHn和Si—C键一起作为硅团簇的边界。样品表现出较强的室温荧光，发光主要来自CHn，SiHn和Si—C键边界区域对硅团簇中载流子的限制作用。样品在1250 ℃氮气中退火1 h后，不但有平均尺寸为24.8 nm的硅晶粒析出，还有少量的SiC晶粒析出，退火后样品的荧光峰较退火前有大的蓝移，且半高宽变窄，这与析出的SiC晶粒有关。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	岳瑞峰	清华大学微电子学研究所	67	379	11.0	15.0
2	王燕	清华大学微电子学研究所	55	351	8.0	17.0