栅控二极管R-G电流法表征SOI-MOS器件埋氧层界面陷阱的敏感性分析

• 作者: Bich-Yen Nguyen Mark Foisy 何进 余山 卢震亭 张兴 张耀辉 王阳元 贾林 黄如 黄爱华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: R-G电流 栅控二极管 界面陷阱 SOIMOSFET器件 敏感性
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1292-1297
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.10.014

摘要

通过数值模拟手段,用归一化的方法研究了界面陷阱、硅膜厚度和沟道掺杂浓度对R-G电流大小的影响规律.结果表明:无论在FD还是在PD SOI MOS器件中,界面陷阱密度是决定R-G电流峰值的主要因素,硅膜厚度和沟道掺杂浓度的影响却因器件的类型而异.为了精确地用R-G电流峰值确定界面陷阱的大小,器件参数的影响也必须包括在模型之中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	王阳元	北京大学微电子学研究所	78	1128	15.0	32.0
4	何进	北京大学微电子学研究所	24	84	5.0	8.0
5	黄爱华	北京大学微电子学研究所	5	5	2.0	2.0
6	卢震亭	北京大学微电子学研究所	1	0	0.0	0.0
7	Bich-Yen Nguyen		1	0	0.0	0.0
8	Mark Foisy		1	0	0.0	0.0
9	张耀辉		1	0	0.0	0.0
10	余山		1	0	0.0	0.0
11	贾林		1	0	0.0	0.0