退火温度对硅基溅射铜膜应力的影响

• 作者: 何玉平 史守华 吴桂芳 孙兆奇 王磊 陈良
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 溅射Cu膜 退火温度 微结构 应力 光学相移法
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 139-142
• 页数: 4页
• 分类号: O484.2
• 字数: 2586字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2002.02.014

摘要

采用光学相移法,对Si基片上Cu膜应力随退火温度的变化进行了研究.研究表明:随退火温度的升高,Cu膜应力减小,200 ℃时平均应力减小为-0.261×108 Pa,且应力分布均匀,在选区范围内应力差仅为2.244×108 Pa.同时用X射线衍射技术测量分析了Cu膜经过不同退火温度热处理后的微结构组织,研究了Cu膜的微结构对其应力的影响.