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高纯半绝缘4H-SiC单晶研究进展
半导体材料
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4H-SiC
射频功率MESFET
I-V特性
解析模型
内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 A Study of Microstructures in Helium-implanted 4H-SiC by RBS-channeling and TEM
来源期刊 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报:英文版 学科 物理学
关键词 氦离子注入 碳化硅晶体 显微结构 RBS沟道 透射电镜研究 TEM 串联加速器
年,卷(期) 2002,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 61-62
页数 2页 分类号 O739
字数 语种 中文
DOI
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研究主题发展历程
节点文献
氦离子注入
碳化硅晶体
显微结构
RBS沟道
透射电镜研究
TEM
串联加速器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报:英文版
年刊
兰州31号信箱中国科学院近代物理研究所出版发行社社址:北京市海淀区阜成路43号(100037)
出版文献量(篇)
1640
总下载数(次)
0
总被引数(次)
0
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