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多介质工艺X射线光刻制作T形栅
多介质工艺X射线光刻制作T形栅
作者:
刘刚
叶甜春
孙加兴
申云琴
谢常青
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
X射线
赝质结高电子迁移率晶体管
T形栅
多介质工艺
摘要:
半导体器件日益向高频、高速方向发展,赝质结高电子迁移率晶体管以其高频、高速、低噪声受到人们重视而发展迅速.在PHEMT的制作工艺中,栅线条的制作是至关重要而又极为困难的.采用X射线多介质工艺制作T形栅,其形貌清晰,线条基本可控,为MMIC制作提供了可靠的工艺.
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文献信息
篇名
多介质工艺X射线光刻制作T形栅
来源期刊
真空科学与技术学报
学科
工学
关键词
X射线
赝质结高电子迁移率晶体管
T形栅
多介质工艺
年,卷(期)
2002,(3)
所属期刊栏目
技术交流
研究方向
页码范围
239-241
页数
3页
分类号
TN321+.5
字数
1381字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1672-7126.2002.03.020
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
谢常青
中科院微电子中心
2
8
2.0
2.0
2
叶甜春
中科院微电子中心
14
91
5.0
9.0
3
申云琴
天津大学电子信息工程学院
5
13
2.0
3.0
4
刘刚
中国科技大学国家同步辐射实验室
4
25
3.0
4.0
5
孙加兴
天津大学电子信息工程学院
1
2
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研究主题发展历程
节点文献
X射线
赝质结高电子迁移率晶体管
T形栅
多介质工艺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空科学与技术学报
主办单位:
中国真空学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1672-7126
CN:
11-5177/TB
开本:
大16开
出版地:
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
邮发代号:
创刊时间:
1981
语种:
chi
出版文献量(篇)
4084
总下载数(次)
3
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