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摘要:
半导体器件日益向高频、高速方向发展,赝质结高电子迁移率晶体管以其高频、高速、低噪声受到人们重视而发展迅速.在PHEMT的制作工艺中,栅线条的制作是至关重要而又极为困难的.采用X射线多介质工艺制作T形栅,其形貌清晰,线条基本可控,为MMIC制作提供了可靠的工艺.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 多介质工艺X射线光刻制作T形栅
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 X射线 赝质结高电子迁移率晶体管 T形栅 多介质工艺
年,卷(期) 2002,(3) 所属期刊栏目 技术交流
研究方向 页码范围 239-241
页数 3页 分类号 TN321+.5
字数 1381字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-7126.2002.03.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 谢常青 中科院微电子中心 2 8 2.0 2.0
2 叶甜春 中科院微电子中心 14 91 5.0 9.0
3 申云琴 天津大学电子信息工程学院 5 13 2.0 3.0
4 刘刚 中国科技大学国家同步辐射实验室 4 25 3.0 4.0
5 孙加兴 天津大学电子信息工程学院 1 2 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
X射线
赝质结高电子迁移率晶体管
T形栅
多介质工艺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空科学与技术学报
月刊
1672-7126
11-5177/TB
大16开
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
1981
chi
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