采用源极增强带带隧穿热电子注入编程的新型p沟选择分裂位线NOR快闪存贮器

• 作者: 刘志宏 刘楷 曾莹 朱钧 潘立阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 快闪存贮器 带带隧穿 分裂位线NOR 源极增强带带隧穿热电子注入 位线串扰
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1031-1036
• 页数: 6页
• 分类号: TP333.5
• 字数: 2074字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.10.005

摘要

提出一种新型的PMOS选择分裂位线NOR结构快闪存贮器,具有高编程速度、低编程电压、低功耗、高访问速度和高可靠性等优点.该结构采用源极增强带带隧穿热电子注入进行编程,当子位线宽度为128位时,位线漏电只有3.5μA左右,每位编程功耗为16.5μW,注入系数为4×10-4,编程速度可达20μs,存贮管的读电流可达60μA/μm以上.分裂位线结构和低编程电压使得该结构具有很好的抗位线串扰特性和可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱钧	清华大学微电子学研究所	43	464	12.0	20.0
2	潘立阳	清华大学微电子学研究所	20	173	5.0	13.0
3	刘志宏	清华大学微电子学研究所	26	134	6.0	10.0
4	曾莹	清华大学微电子学研究所	6	25	4.0	5.0
5	刘楷	清华大学微电子学研究所	3	20	2.0	3.0