一种新的隔离结构表面平坦化技术

• 作者: 亢宝位 吴郁 王哲 王玉琦 程序
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 隔离结构 表面平坦化 反应离子刻蚀
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 专题报道
• 页码范围: 26-28
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 1511字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.07.009

摘要

为克服目前隔离结构平坦化技术在工艺控制、平坦化质量等方面存在的问题,提出了一种新的隔离结构表面平坦化工艺,即利用稠光刻胶做掩膜,结合反应离子刻蚀技术与湿法腐蚀技术,实现不同厚度隔离结构的平坦化.结果表明隔离结构边缘陡峭,硅表面平坦均匀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴郁	北京工业大学电子信息与控制工程学院	38	215	9.0	13.0
2	亢宝位	北京工业大学电子信息与控制工程学院	28	291	10.0	16.0
3	王哲	北京工业大学电子信息与控制工程学院	13	60	4.0	7.0
4	程序	北京工业大学电子信息与控制工程学院	9	81	4.0	9.0
5	王玉琦	香港科技大学物理系	5	16	2.0	4.0