退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响

• 作者: 许旻 贺德衍 邱家稳
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ITO 透明导电薄膜 光学特性 电学特性
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 161-164
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2626字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2003.03.004

摘要

采用铟锡合金靶(铟-锡,90-10),通过直流反应磁控溅射在玻璃基片上制备出ITO薄膜,并在大气环境下高温退火处理.研究了退火温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响.研究表明,随着退火温度升高薄膜的电学特性得到很大提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺德衍	兰州大学物理科学技术学院	68	559	13.0	19.0
3	邱家稳	兰州大学物理科学技术学院	44	477	14.0	20.0
5	许旻	兰州大学物理科学技术学院	21	233	10.0	14.0