论文降重
免费查重- 钛学术文献服务平台 \
- 学术期刊 \
- 综合期刊 \
- 其它期刊 \
- 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版期刊 \
Defect Structures in 4H-SiC Irradiated with Highly-energetic 20Ne4＋ and 120Xe26＋ Ions
Defect Structures in 4H-SiC Irradiated with Highly-energetic 20Ne4＋ and 120Xe26＋ Ions
基本信息来源于合作网站，原文需代理用户跳转至来源网站获取
摘要：
推荐文章
高纯半绝缘4H-SiC单晶研究进展
半导体材料
高纯半绝缘
4H-SiC单晶
单晶生长
N-Al共掺杂4H-SiC的第一性原理计算
第一性原理
掺杂
光学性质
4H-SiC材料中刃型位错的仿真模拟研究
4H-SiC
刃型位错
第一性原理
4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型
4H-SiC
射频功率MESFET
I-V特性
解析模型
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
| 篇名 | Defect Structures in 4H-SiC Irradiated with Highly-energetic 20Ne4＋ and 120Xe26＋ Ions | ||
| 来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 | 学科 | 物理学 |
| 关键词 | 缺陷结构 放射性 高能离子 碳硅化合物 熔化作用 | ||
| 年，卷（期） | jdwlyjshlzzlzjsqsysnbywb_2003,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 62-63 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | O561.1 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
五维指标
引文网络
引文网络
二级参考文献 (0)
共引文献 (0)
参考文献 (0)
节点文献
引证文献 (0)
同被引文献 (0)
二级引证文献 (0)
2003(0)
- 参考文献(0)
- 二级参考文献(0)
- 引证文献(0)
- 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
缺陷结构
放射性
高能离子
碳硅化合物
熔化作用
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版
主办单位：
出版周期：
年刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
兰州31号信箱中国科学院近代物理研究所出版发行社社址:北京市海淀区阜成路43号(100037)
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
1640
总下载数（次）
0
期刊文献
相关文献
推荐文献
- 期刊分类
- 期刊（年）
- 期刊（期）
- 期刊推荐
