SiC衬底上异质外延GaN薄膜XPS谱和PL谱研究

• 作者: 冯倩 段猛 郝跃
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 异质外延 X射线光电子能谱 光致发光
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 所属期刊栏目: 薄膜光学
• 页码范围: 1510-1513
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 1661字
• 语种: 中文

摘要

利用X射线光电子能谱,对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的未故意掺杂的GaN进行N、Ga组份测试,同时用光致发光技术对样品进行发光特性的研究.结果表明,随着GaN薄膜中Ga百分含量逐渐减小,室温下黄光输出峰值强度却逐渐增加.因此,在Ga含量相对低的GaN薄膜中容易形成Ga空位(即Ga空位浓度较高),而此时,黄光辐射强度单调递增证明,黄光辐射与VGa密切相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	冯倩	西安电子科技大学技术物理学院	35	224	7.0	13.0
6	段猛	西安电子科技大学微电子研究所	4	35	3.0	4.0