SiC衬底上异质外延GaN薄膜结构缺陷对黄光辐射的影响

• 作者: 冯倩 段猛 郝跃
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 异质外延 光致发光 扫描电子显微术 X光衍射
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 光电子学
• 页码范围: 1340-1342
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 1657字
• 语种: 中文

摘要

利用光致发光技术对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延未故意掺杂的GaN进行发光特性的研究,发现在室温下有很强的黄光输出,同时,采用扫描电子显微术和X光衍射对样品的表面形貌和结构进行了研究,结果发现,随着缺陷密度的减少,黄光输出强度也有所降低,因此,黄光输出强度与缺陷有很大的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	冯倩	西安电子科技大学技术物理学院	35	224	7.0	13.0
6	段猛	西安电子科技大学微电子研究所	4	35	3.0	4.0