半导体芯片银凸点微电极生长技术

• 作者: 刘剑虹 姜世杭 毛根生 赵家林
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 高速开关二极管 微电极 电化学沉积
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 电子封装技术
• 页码范围: 32-33,36
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 1882字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.03.011

摘要

银点微电极生长技术主要用于ISS181系列高压超高速开关二极管的电极成型,是一项制约ISS181封装国产化的瓶颈技术.该项目研究采用了自主开发的流动独立供液、独立供电,整体控制工艺,用于100 mm芯片电极成型,保证银凸点微电极高度40 μm,误差±15%.做到微区银点生长有效控制,大面积一致性好.在流量8 L/min,电压6.5 V,占空比10%的条件下,得到了最佳结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘剑虹	齐齐哈尔大学材料系	73	177	7.0	11.0
2	赵家林	齐齐哈尔大学材料系	17	52	5.0	6.0
3	姜世杭	扬州大学机械学院	35	106	5.0	7.0
4	毛根生		1	0	0.0	0.0