C掺杂GaAs外延层的MOCVD生长

• 作者: 刘莹 李建军 沈光地 邓军 邢艳辉 韩军
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD GaAs 掺杂
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 271-273
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 1706字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2004.04.007

摘要

以CCl4为掺杂源,利用EMCORE D125 MOCVD系统生长了不同C掺杂浓度的GaAs外延层.通过Hall、PL、DXRD以及在位监测工具Epimetric等手段研究了掺C GaAs层的电学特性、光学特性、晶体质量和生长速度等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学北京光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	邓军	北京工业大学北京光电子技术实验室	57	219	7.0	10.0
3	韩军	北京工业大学北京光电子技术实验室	39	181	7.0	11.0
4	李建军	北京工业大学北京光电子技术实验室	52	234	7.0	12.0
5	刘莹	北京工业大学北京光电子技术实验室	31	375	10.0	19.0
6	邢艳辉	北京工业大学北京光电子技术实验室	20	59	5.0	6.0