直拉硅单晶生长的现状与发展

• 作者: 徐岳生
• 来源期刊: 河北工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直拉硅单晶 扩散控制 等效微重力 空洞型缺陷 光电子转换效率 硅熔体结构
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 52-58
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.12
• 字数: 7733字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2373.2004.02.009

摘要

综述了制造集成电路(IC)用直拉硅单晶生长的现状与发展.对大直径生长用磁场拉晶技术,硅片中缺陷的控制与利用(缺陷工程),大直径硅中新型原生空位型缺陷,硅外延片与SOI片,太阳电池级硅单和大直径直拉硅生长的计算机模拟,硅熔体与物性研究等进行了论述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐岳生	河北工业大学材料学院	21	163	7.0	12.0