SiCN薄膜在Si衬底上的沉积

• 作者: 张阳 朱鹤孙 江锦春 程文娟
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiCN薄膜 微波等离子体化学气相沉积 扫描电镜 X射线光电子能谱 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 页码范围: 913-917
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1722字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.008

摘要

本文采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统,在单晶Si衬底上制备出了SiCN薄膜.所采用的源气体为高纯CH4和N2,而Si源来自于Si衬底、SiH4和Si棒.用场发射扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射谱(XRD)对样品进行了表征与分析.结果表明,外加Si源、高的衬底温度、高流量N2有助于提高样品的成膜质量.所得到SiCN样品是新型的六方结构三元化合物.