MOCVD生长GaN的表面形貌及缺陷研究

• 作者: 方文卿 李述体 江风益 王立 范广涵 莫春兰
• 来源期刊: 华南师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: GaN MOCVD 光学显微镜 表面形貌 缺陷
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 63-66
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2577字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5463.2004.02.011

摘要

采用自制MOCVD和Thomas SwanMOCVD以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究.利用光学显微镜获得了GaN外延膜表面形貌随Si、Mg掺杂量不同的变化规律以及表面缺陷等信息.研究表明,随掺Si量增大,GaN外延膜的表面变粗糙,结晶品质下降.在电子浓度达2×1019cm-3以上时,GaN外延膜表面出现龟裂.对GaN进行Mg掺杂,外延膜表面出现岛状突起,且随Mg掺杂量增大,岛状突起数目增多.观察到了MOCVD生长的GaN的六角状岛、龟裂、条状缺陷等典型缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	莫春兰	南昌大学材料科学研究所	24	177	7.0	12.0
3	方文卿	南昌大学材料科学研究所	23	200	8.0	13.0
4	王立	南昌大学材料科学研究所	48	324	10.0	14.0
5	江风益	南昌大学材料科学研究所	60	527	12.0	19.0
6	李述体	华南师范大学光电子材料与技术研究所	39	180	7.0	11.0