低温等离子体增强化学气相沉积技术制备碳纳米管

• 作者: 李社强 江南 王太宏
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体增强 化学气相沉积 低温生长 碳纳米管
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 40-46
• 页数: 7页
• 分类号: TB383|TB43
• 字数: 7553字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2004.04.010

摘要

由于等离子体在低温下具有高活性的特点,等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术可显著降低薄膜沉积的温度范围.通常条件下,高质量碳纳米管的生长要求800℃以上的基片温度,若能使该温度降到400℃以下,则对许多应用非常有利,如可以在玻璃基片上沉积碳纳米管场发射电极.目前,碳纳米管基纳电子器件的研制这一课题备受关注,如果能实现低温原位制备碳纳米管,则可能将纳电子器件与传统的微电子加工工艺结合并实现超大容量的超大规模集成电路.本文主要介绍近年来生长碳纳米管所采用的各种等离子体化学气相沉积技术,讨论影响碳纳米管生长特性的几个关键因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江南	中国科学院物理所	110	2450	30.0	46.0
2	王太宏	中国科学院物理所	47	240	9.0	13.0
3	李社强	中国科学院物理所	4	22	3.0	4.0