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化学机械抛光技术现状与发展趋势
化学机械抛光技术现状与发展趋势
作者:
童志义
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CMP
浅沟道隔离
铜/低k材料
清洗
终点检测
发展趋势
摘要:
概述了ITRS对铜互连工艺提出的要求及90~65 nm CMP技术所面临的挑战,介绍了W,STI,Cu/低k材料CMP及其清洗和终点检测技术的发展现状,最后讨论了CMP技术的一些发展趋势.
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篇名
化学机械抛光技术现状与发展趋势
来源期刊
电子工业专用设备
学科
工学
关键词
CMP
浅沟道隔离
铜/低k材料
清洗
终点检测
发展趋势
年,卷(期)
2004,(6)
所属期刊栏目
趋势与展望
研究方向
页码范围
1-6
页数
6页
分类号
TN305.2
字数
6552字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1004-4507.2004.06.001
五维指标
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研究来源
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研究去脉
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期刊影响力
电子工业专用设备
主办单位:
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1004-4507
CN:
62-1077/TN
开本:
大16开
出版地:
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
邮发代号:
创刊时间:
1971
语种:
chi
出版文献量(篇)
3731
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31
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