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摘要:
概述了ITRS对铜互连工艺提出的要求及90~65 nm CMP技术所面临的挑战,介绍了W,STI,Cu/低k材料CMP及其清洗和终点检测技术的发展现状,最后讨论了CMP技术的一些发展趋势.
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文献信息
篇名 化学机械抛光技术现状与发展趋势
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 CMP 浅沟道隔离 铜/低k材料 清洗 终点检测 发展趋势
年,卷(期) 2004,(6) 所属期刊栏目 趋势与展望
研究方向 页码范围 1-6
页数 6页 分类号 TN305.2
字数 6552字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2004.06.001
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研究主题发展历程
节点文献
CMP
浅沟道隔离
铜/低k材料
清洗
终点检测
发展趋势
研究起点
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电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
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1971
chi
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