硼离子选择注入制备多孔硅微阵列

• 作者: 朱建中 朱自强 王伟明 邵丽 陈少强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅微阵列 选择性 电化学腐蚀 硼离子选择注入
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 819-823
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3151字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.07.015

摘要

根据p型硅和n型硅不同的制备多孔硅的工艺条件,利用硼离子选择注入,在n型硅片上的局部微区域,形成易于腐蚀的p型硅,用电化学腐蚀方法制备出图形化的多孔硅阵列.省去了传统掩膜腐蚀工艺的掩膜材料的选取与制备以及后道工艺中掩膜材料的清除等工艺,克服了掩膜材料掩蔽效果较差以及存在横向钻蚀等缺点.通过AFM,SEM测试,证明该方法的效果很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱自强	华东师范大学电子系	40	272	11.0	13.0
2	陈少强	华东师范大学电子系	4	11	2.0	3.0
3	朱建中	华东师范大学电子系	6	17	3.0	4.0
4	邵丽	华东师范大学电子系	6	11	2.0	3.0
5	王伟明	华东师范大学电子系	4	14	3.0	3.0