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FTIR Study of C-implanted 4H-SiC Single Crystal after Swift Pb-ion Irradiation
FTIR Study of C-implanted 4H-SiC Single Crystal after Swift Pb-ion Irradiation
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摘要：
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高纯半绝缘4H-SiC单晶研究进展
半导体材料
高纯半绝缘
4H-SiC单晶
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4H-SiC材料中刃型位错的仿真模拟研究
4H-SiC
刃型位错
第一性原理
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4H-SiC
射频功率MESFET
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解析模型
基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器
中子探测器
宽禁带半导体
4H-SiC
内容分析
关键词云
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文献信息
| 篇名 | FTIR Study of C-implanted 4H-SiC Single Crystal after Swift Pb-ion Irradiation | ||
| 来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 | 学科 | 化学 |
| 关键词 | SiC单晶 红外光谱 离子辐照 小时 植入 电子设备 特殊性质 漂移速度 | ||
| 年，卷（期） | jdwlyjshlzzlzjsqsysnbywb_2005,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 66 | |
| 页数 | 1页 | 分类号 | O657.33 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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SiC单晶
红外光谱
离子辐照
小时
植入
电子设备
特殊性质
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期刊影响力
近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版
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出版周期：
年刊
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兰州31号信箱中国科学院近代物理研究所出版发行社社址:北京市海淀区阜成路43号(100037)
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