低介电常数a-C:F薄膜结构和热稳定性研究

• 作者: 吴振宇 杨银堂 汪家友
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: a-C:F 化学气相沉积 热稳定性 XPS
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 355-357,377
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2914字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.05.009

摘要

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积的方法以C4F8和CH4为源气体制备了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜.采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X光电子能谱(XPS)技术分析了a-C:F薄膜化学组分.FTIR分析表明a-C:F薄膜中存在CF=C(1680 cm-1)和位于a-C:F薄膜交联结构末端的CF2=CF (1780 cm-1)结构.C1s峰高斯解叠后结合态与结合能对应关系为:CF3(295 eV),CF2(293 eV),CF(291 eV),C-O(289 eV),C-CFx(x=1～3)(287 eV),以及位于a-C:F薄膜交联结构末端的C-C结合态(285 eV).位于a-C:F薄膜交联结构末端的CF3和C-C结构热稳定性较差,退火后容易生成气态挥发物并导致a-C:F薄膜厚度减小.当C-CFx交联结构增多,且位于a-C:F薄膜交联结构末端的CF3和C-C结构减少时,a-C:F薄膜热稳定性提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴振宇	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	24	170	9.0	12.0
2	汪家友	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	31	267	11.0	15.0
3	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0