铜互连中SiCOF/a-C:F双层低介电常数薄膜的制备和表征

• 作者: 丁士进 卢红亮 孙清清 张卫 朱莲
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低介电常数介质 FTIRSIMS
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 429-433
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.97
• 字数: 1267字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.03.009

摘要

用等离子体化学气相淀积系统制备了一种新颖的SiCOF/a-C:F双层低介电常数介质薄膜,并用红外光谱表征了该薄膜的化学结构.通过测量介质的折射率发现该薄膜长时间暴露在空气中,其光频介电常数几乎不变.然而,随退火温度的增加,其光频介电常数则会减小.基于实验结果讨论了几种可能的机理.二次离子质谱分析表明在Al/a-C:F/Si结构中F和C很容易扩散到Al中,但在Al/SiCOF/a-C:F/Si结构中,则没有发现C的扩散,说明SiCOF充当了C扩散的阻挡层.分析还发现在SiCOF和a-C:F之间没有明显的界面层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁士进	复旦大学微电子学系	29	174	7.0	12.0
2	张卫	复旦大学微电子学系	43	271	10.0	14.0
3	孙清清	复旦大学微电子学系	5	2	1.0	1.0
4	朱莲	复旦大学微电子学系	2	2	1.0	1.0
5	卢红亮	复旦大学微电子学系	2	4	2.0	2.0