射频磁控反应溅射氮氧化硅薄膜的研究

• 作者: 朱勇 沈伟东 邹桐 顾培夫
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜光学 SiOxNy薄膜 磁控溅射 光学常数 禁带宽度
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 页码范围: 567-571
• 页数: 5页
• 分类号: O484.5|O484.4
• 字数: 3422字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-2239.2005.04.027

摘要

利用SiOxNy薄膜光学常数随化学计量比连续变化的特性,给出了制备折射率连续可调的SiOxNy薄膜的实验条件.用磁控反应溅射法制备了不同氮氧比的SiOxNy薄膜.研究了不同气流比率条件下薄膜光学常数、化学成分及溅射速率等的变化.用UV-VIS光谱仪测试了透射率曲线,利用改进的单纯型法拟合透射率曲线计算得到了折射率和消光系数.测试了红外傅立叶光谱(FTIR)曲线和X光光电子能谱(XPS)分析了薄膜成分的变化.实验表明薄膜特性与N2/O2流量比率密切相关,通过控制总压和改变气体流量比可控制SiOxNy薄膜的折射率n从1.92到1.46连续变化,应用Wemple-DiDomenico模型计算出光子带隙在6.5 eV到5 eV之间单调变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱勇	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	24	211	7.0	14.0
2	沈伟东	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	39	296	8.0	16.0
3	顾培夫	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	141	1761	23.0	34.0
4	邹桐	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	3	40	2.0	3.0