多孔硅新的表面处理技术

• 作者: 应桃开 朱自强 程存归 虞献文 郁可 陈燕艳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 阴极还原 阳极氧化 表面处理技术 厚膜
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 406-409
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2540字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.036

摘要

对多孔硅施加阳极氧化表面处理技术,可有效解决多孔硅干燥时出现龟裂及坍塌,破坏原有多孔硅的形貌和本质的问题.阳极氧化表面处理技术就是使用少量的负离子作用于多孔硅表面,满足SI分子化合价的需要,消除悬空键,促使多孔硅表面性能稳定,避免结构重组产生分子间的不均匀内应力,从而获得性能稳定、可靠、在空气中可以长期干燥保存的多孔硅.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程存归	浙江师范大学化学与生命科学学院	99	974	17.0	24.0
2	朱自强	华东师范大学信息与技术学院	40	272	11.0	13.0
3	虞献文	浙江师范大学数理学院	5	50	3.0	5.0
4	陈燕艳	浙江师范大学信息科学与工程学院	1	16	1.0	1.0
5	应桃开	浙江师范大学化学与生命科学学院	25	255	10.0	14.0
6	郁可	山东大学物理学院	10	60	4.0	7.0