应用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺

• 作者: 吴文刚 李轶 郝一龙 闫桂珍 韩翔
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 无电镀 铜 镍 MEMS电感 品质因数
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1059-1064
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 3981字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.040

摘要

开发了单晶硅上的选择性无电镀铜、镀镍工艺,形成了较为优化的施镀流程,实现了保形性、均镀性较好的铜、镍及其复合镀层.其中针对单晶硅表面的特点,采取了浓酸处理和氧等离子轰击两种表面预处理方法,优化了氯化钯对表面的激活时间,使得镀层质量得到提高.提出了以镍作为中间层以减小镀层应力的方法,施镀后获得的铜镀层的电阻率为2.1μΩ·cm,铜/镍复合镀层的方块电阻为0.19Ω/□.在单晶硅MEMS电感结构上实现了较好的无电镀铜,使得该元件的品质因数超过25.