UHV-CVD生长的SiGe多量子阱在热光电池领域的应用

• 作者: 叶志镇 孙伟峰 朱丽萍 赵炳辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多量子阱 窄带隙 热光电池 UHV-CVD 黑体辐射
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2111-2114
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2350字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.013

摘要

为了验证SiGe多量子阱的能带向直接带隙结构转变[1]和进一步探索其在热光电池领域的应用,采用先进的超高真空化学气相沉积系统生长出高质量的SiGe多量子阱外延层,并对其进行多次反射红外线吸收谱的测量.测量结果说明吸收峰接近黑体辐射峰1450nm波长,跃迁几率有所增加,这将大幅度提高热光电池的吸收效率,同时也为SiGe多量子阱中量子效应的存在提供了实验依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱丽萍	浙江大学硅材料国家重点实验室	39	267	10.0	15.0
2	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
3	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
4	孙伟峰	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	10	1.0	3.0