FeCoSiB薄膜应力阻抗性能的的影响因素及提高方法

• 作者: 张万里 彭斌 杨国宁 蒋洪川 谌贵辉
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 磁弹性薄膜 应力阻抗 溅射气压 偏置场 退火处理
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: TB303|TG156.2
• 字数: 2304字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2006.03.007

摘要

利用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜,溅射过程中施加一横向静磁场,并在真空中退火.实验结果表明,FeCoSiB的应力阻抗效应与制备工艺(工作气压、溅射磁场)和退火条件(退火温度、退火时间)有着非常密切的联系.当偏置磁场从60 Oe增加到120 Oe时,薄膜的应力阻抗从0.5%提高到了1.65%.在80 Oe磁场下,薄膜经300℃、40 min退火处理后,应力阻抗效应达1.86%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋洪川	电子科技大学微电子与固体电子学院	74	586	12.0	19.0
2	张万里	电子科技大学微电子与固体电子学院	142	705	13.0	17.0
3	彭斌	电子科技大学微电子与固体电子学院	87	638	12.0	21.0
4	谌贵辉	西南石油大学电子信息工程学院	44	141	7.0	8.0
5	杨国宁	电子科技大学微电子与固体电子学院	6	46	3.0	6.0