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摘要:
给出了一种基于功率PHEMT工艺技术设计加工完成的紧凑型K波段单级反馈式MMIC宽带功率放大器.在21~28GHz的工作频段内,当漏极电压为6V,栅电压为-0.25V,电流为82mA时,1dB压缩点输出功率大于21dBm,小信号增益为7dB左右,输入驻波比小于3,输出驻波比均小于2.芯片尺寸为1mm×1.2mm×0.1mm.同时,给出了一种芯片级电磁场仿真验证方法,用该方法仿真的结果和测试结果非常一致,保证了电路设计的准确性.
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文献信息
篇名 紧凑型K波段单级反馈式MMIC中功率放大器
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 功率PHEMT MMIC功率放大器 全芯片级电磁场仿真
年,卷(期) 2006,(6) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1094-1097
页数 4页 分类号 TN385
字数 1858字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.029
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙晓玮 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 97 828 16.0 23.0
2 钱蓉 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 27 212 8.0 13.0
3 王闯 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 12 127 6.0 11.0
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研究主题发展历程
节点文献
功率PHEMT
MMIC功率放大器
全芯片级电磁场仿真
研究起点
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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