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紧凑型K波段单级反馈式MMIC中功率放大器
紧凑型K波段单级反馈式MMIC中功率放大器
作者:
孙晓玮
王闯
钱蓉
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
功率PHEMT
MMIC功率放大器
全芯片级电磁场仿真
摘要:
给出了一种基于功率PHEMT工艺技术设计加工完成的紧凑型K波段单级反馈式MMIC宽带功率放大器.在21~28GHz的工作频段内,当漏极电压为6V,栅电压为-0.25V,电流为82mA时,1dB压缩点输出功率大于21dBm,小信号增益为7dB左右,输入驻波比小于3,输出驻波比均小于2.芯片尺寸为1mm×1.2mm×0.1mm.同时,给出了一种芯片级电磁场仿真验证方法,用该方法仿真的结果和测试结果非常一致,保证了电路设计的准确性.
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文献信息
篇名
紧凑型K波段单级反馈式MMIC中功率放大器
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
功率PHEMT
MMIC功率放大器
全芯片级电磁场仿真
年,卷(期)
2006,(6)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1094-1097
页数
4页
分类号
TN385
字数
1858字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.029
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
孙晓玮
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
97
828
16.0
23.0
2
钱蓉
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
27
212
8.0
13.0
3
王闯
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
12
127
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研究主题发展历程
节点文献
功率PHEMT
MMIC功率放大器
全芯片级电磁场仿真
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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