硅衬底碳化对异质外延SiC薄膜结构的影响

• 作者: 傅竹西 朱俊杰 林碧霞 苏剑峰 郑海务
• 来源期刊: 材料研究学报
• 学科: 化学
• 关键词: 无机非金属材料 LPMOCVD 3C-SiC p-Si(111)衬底
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 231-234
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 字数: 2584字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-3093.2006.03.002

摘要

用LPMOCVD方法在P-Si(111)衬底上异质外延生长SiC,用碳化方法生长出具有单晶结构的3C-SiC薄膜,研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化时间对结晶质量的影响.结果表明,在较低的温度开始碳化不利于丙烷的分解,不能形成很好的过渡层;碳化时丙烷流量过大会造成碳污染,碳化时间过长使过渡层的结晶质量降低.最佳的碳化条件为:开始碳化温度1150℃,碳化时间和碳化时丙烷的流量分别为8 min和2 sccm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅竹西	中国科学技术大学物理系	53	808	17.0	27.0
2	林碧霞	中国科学技术大学物理系	32	700	16.0	26.0
3	朱俊杰	中国科学技术大学物理系	39	448	14.0	19.0
4	郑海务	中国科学技术大学物理系	6	15	2.0	3.0
5	苏剑峰	中国科学技术大学物理系	5	14	2.0	3.0