一种3.8 GHz 0.25μm CMOS低噪声放大器的设计

• 作者: 余宁梅 王磊
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 低噪声放大器 级间匹配网络 片上螺旋电感 噪声系数
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 技术报告
• 页码范围: 101-104
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 2462字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2006.01.028

摘要

从优化电路结构出发,提出并设计了一种工作于3.8 GHz的低噪声放大器.与传统级联结构相比,该电路引入了级间匹配网络.级间匹配网络的实现,可以使整个电路的功率增益、噪声系数等关键性能指标得到改善.电路采用0.25 μm RF CMOS工艺制作,用Hspice软件对电路进行了模拟.结果表明,该电路的正向功率增益为15.67 dB,NF为2.88 dB,IIP3为-0.21 dBm,功耗为25.79 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余宁梅	西安理工大学电子工程系	97	476	11.0	15.0
2	王磊	西安理工大学电子工程系	62	396	12.0	17.0