溅射气氛对所制备PST/Si薄膜性能的影响

• 作者: 孙平 王茂祥
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: (Pb1-xSrx)TiO3铁电薄膜 磁控溅射 Ar与O2分压比
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 417-420
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2831字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.05.017

摘要

采用高频磁控溅射法制备了Si基(Pb1-xSrx)TiO3系铁电薄膜(以下简称PST/Si).实验表明,合适的Ar、O2分压比,能保证溅射时挥发出的Pb及时与补充的O离子得以充分化合,确保制备所需成份的PST薄膜.O2分压过高,Au电极中将有大量的O离子严重渗透,从而使PST薄膜介电损耗增加并降低其极化能力.实验中Ar、O2比为5:1的PST/Si样品性能较好,其介电损耗约在0.12～0.21之间,热释电系数约为2.35 × 10-2μC/cm2K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王茂祥	南京大学工程管理学院	12	26	3.0	5.0