一种新颖的BiCMOS高精度LDO线性稳压电路

• 作者: 刘三清 张宾 邹雪城 陈晓飞
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: LDO 稳压电路 BiCMOS 高压工艺 温度系数 线性调整率 负载调整率
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 技术报告
• 页码范围: 80-83
• 页数: 4页
• 分类号: TN433
• 字数: 2563字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2006.01.022

摘要

设计了一种改进结构的用于锂离子和锂聚合物电池充电管理芯片的高精度、宽电源电压范围LDO线性稳压电路,电路采用0.8 μm N阱BiCMOS高压工艺制作.Hspice仿真结果表明,在温度从-20 ℃到100 ℃变化时,其温度系数约为±28 ppm/℃;电源电压从4.5 V到25 V变化时,最坏情况下其线性调整率为0.038 mV/V;负载电流从0到满载2 mA变化时,其负载调整率仅为1.28 mV/mA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹雪城	华中科技大学电子科学与技术系	310	2261	21.0	31.0
2	陈晓飞	华中科技大学电子科学与技术系	28	239	10.0	14.0
3	刘三清	华中科技大学电子科学与技术系	31	279	10.0	15.0
4	张宾	华中科技大学电子科学与技术系	4	18	2.0	4.0