金属诱导生长多晶锗硅薄膜的电学性能研究

• 作者: 刘国军 叶志镇 吴贵斌 赵星 赵炳辉
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超高真空化学气相沉积 多晶锗硅 金属诱导生长 肖特基二极管
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 236-239
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3044字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.03.018

摘要

采用超高真空化学气相沉积与金属诱导相结合的方法生长多晶SiGe薄膜.530℃下,金属Ni先与SiGe反应生成Ni硅化物,直至Ni被完全消耗完,接着多晶SiGe薄膜在Ni硅化物上异质生长;首次制作了Al/PolySiGe/Ni Silicide肖特基二极管,对器件的Ⅰ-Ⅴ特性测试表明,采用这种结构制备的肖特基结在±1 V时,整流比可达到8000,而在-2V时反向漏电流只有10-7A,显示出很好的器件性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	吴贵斌	浙江大学硅材料国家重点实验室	11	70	4.0	8.0
4	赵星	浙江大学硅材料国家重点实验室	10	116	4.0	10.0
5	刘国军	浙江大学硅材料国家重点实验室	9	39	3.0	6.0