一种阵列布局优化的256 kb SRAM

• 作者: 于宗光 施亮 高宁
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 静态存储器 分级位线 灵敏放大器
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 技术报告
• 页码范围: 97-100
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1301字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2007.01.024

摘要

介绍了一种阵列布局优化的256 kb(8 k×32位)低功耗SRAM.通过采用分级位线和局部灵敏放大器结构,减少位线上的负载电容;通过电压产生电路,获得写操作所需的参考电压,降低写操作时的位线电压摆动幅度,有效地减少了SRAM读写操作时的动态功耗.与传统结构的SRAM相比,该256 kb SRAM的写功耗可减少37.70 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光	江南大学信息工程学院	89	354	9.0	14.0
5	高宁	江南大学信息工程学院	7	57	5.0	7.0
6	施亮	江南大学信息工程学院	8	61	4.0	7.0