n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触温度特性及微结构研究

• 作者: 冯士维 张弓长 张跃宗 王承栋
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 欧姆接触 接触电阻率 X射线衍射能谱
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 敏感功能材料
• 页码范围: 72-75
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 2537字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.07.024

摘要

主要对n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触在高温下(500℃)的特性进行了研究,发现在所测温度范围内,接触电阻率随测量温度的升高呈现出增加的趋势,接触开始退化.同时分析研究了在不同高温、不同时间范围内(24 h)欧姆接触高温存储前后的变化,分析发现对于温度不高于500℃、在24 h内存储温度升高,接触电阻率增加.当样品被施加500℃,24 h的热应力后,其接触电阻率表现出不可恢复性增加.通过X射线衍射能谱分析了高温前后欧姆接触内部结构的变化机理,经过500℃的高温后,Ti层原子穿过Al层与Ni层原子发生固相反应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张跃宗	北京工业大学电控学院可靠性物理实验室	10	105	6.0	10.0
2	冯士维	北京工业大学电控学院可靠性物理实验室	59	438	12.0	18.0
3	张弓长	北京工业大学电控学院可靠性物理实验室	5	18	2.0	4.0
4	王承栋	北京工业大学电控学院可靠性物理实验室	7	31	3.0	5.0