InGaN/GaN MQW双波长LED的MOCVD生长

• 作者: 刘建平 张念国 李彤 林巧明 沈光地 牛南辉 邢艳辉 郭霞
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN量子阱 双波长LED MOCVD
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 349-353
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 3557字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.03.013

摘要

利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统生长了InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管(LED).发现在20 mA正向注入电流下空穴很难输运过蓝光和绿光量子阱间的垒层,这是混合量子阱有源区获得双波长发光的主要障碍.通过掺入一定量的In来降低蓝光和绿光量子阱之间的垒层的势垒高度,增加注入到离p-GaN层较远的绿光有源区的空穴浓度,从而改变蓝光和绿光发光峰的强度比.研究了蓝光和绿光量子阱间垒层In组分对双波长LED的发光性质的影响.此外,研究了双波长LED发光特性随注入电流的变化.