激光剥离技术实现GaN薄膜从蓝宝石衬底移至Cu衬底

• 作者: 井亮 刘斌 方圆 沈光地 王婷 郭霞 陈涛
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 激光剥离 SEM分析 XPS分析
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 光电技术与系统
• 页码范围: 62-65
• 页数: 4页
• 分类号: TN36|TN304.055
• 字数: 1900字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2007.01.018

摘要

在GaN薄膜表面电镀厚100μm的、均匀的金属铜作为转移衬底.采用激光剥离技术,在400mJ/cm2脉冲激光能量密度条件下,成功地将GaN薄膜从蓝宝石衬底转移至Cu衬底.激光剥离后Cu衬底上GaN薄膜的扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,电镀Cu衬底与GaN之间形成致密的结合,对GaN薄膜起到了很好的支撑作用.同时铜的延展性好,使得GaN薄膜内产生的应力得到有效释放,保持了剥离后GaN薄膜的完整性.激光剥离后GaN表面残留物的X射线光电子能谱(XPS)分析显示,激光辐照产生的金属Ga部分与空气中的氧结合形成Ga2O3,这是剥离后GaN表面后处理困难的原因,并给出了相应的解决方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学电子信息与控制工程学院	192	1444	18.0	29.0
2	郭霞	北京工业大学电子信息与控制工程学院	54	397	11.0	16.0
3	陈涛	北京工业大学激光学院	77	383	12.0	17.0
4	刘斌	北京工业大学电子信息与控制工程学院	35	253	8.0	15.0
5	王婷	北京工业大学电子信息与控制工程学院	10	54	5.0	7.0
6	方圆	北京工业大学电子信息与控制工程学院	2	13	2.0	2.0
7	井亮	北京工业大学激光学院	1	9	1.0	1.0