Snapback应力对90nm nMOSFET栅氧化层完整性的影响

• 作者: 朱志炜 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 突发击穿 三代电子 应力引起的泄漏电流 击穿电荷 氧化层陷阱
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 349-354
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1483字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.03.007

摘要

基于测试对snapback应力引起的栅氧化层损伤特性和损伤位置进行了研究.研究发现应力期间产生的损伤引起器件特性随应力时间以近似幂指数的关系退化.应力产生的氧化层陷阱将会引起应力引起的泄漏电流增加,击穿电荷减少,也会造成关态漏泄漏电流的退化.栅氧化层损伤不仅在漏区一侧产生,而且也会在源区一侧产生.热空穴产生的三代电子在指向衬底的电场作用下向Si-SiO2界面移动,这解释了源区一侧栅氧化层损伤的产生原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	马晓华	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	40	140	7.0	8.0
3	朱志炜	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	19	96	5.0	8.0