双能态Cr+注入法制备GaCrN铁磁性薄膜

• 作者: 冉军学 刘超 姜丽娟 李建平 王晓亮 王翠梅 肖红领 胡国新
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 稀磁半导体 GaCrN 离子注入 铁磁性
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 341-344
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.7
• 字数: 3215字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.086

摘要

采用双能态Cr+注入法结合样品的快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型、非掺杂和p型GaN薄膜样品表面注入相同剂量的Cr+,得到了厚度约200nm的铁磁性GaCrN薄膜,并用XRD,SQUID和Hall法对3种样品的微结构和磁性能进行了测试分析.实验发现:GaCrN薄膜样品的饱和磁化强度与其初始载流子浓度的大小有关,n型和p型GaN样品注入Cr+后形成GaGrN薄膜的饱和磁化强度均显著大于非有意掺杂的样品.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓亮	中国科学院半导体研究所材料中心	38	212	9.0	12.0
2	胡国新	中国科学院半导体研究所材料中心	13	83	4.0	8.0
3	刘超	中国科学院半导体研究所材料中心	128	874	18.0	25.0
4	王翠梅	中国科学院半导体研究所材料中心	9	34	3.0	5.0
5	肖红领	中国科学院半导体研究所材料中心	7	26	3.0	5.0
6	冉军学	中国科学院半导体研究所材料中心	7	32	3.0	5.0
7	姜丽娟	中国科学院半导体研究所材料中心	1	1	1.0	1.0